C3M0025065J1-TR-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為73A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻典型值為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備優異的高頻開關性能和較低的導通損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高密度電力電子裝置等場景，在提升系統整體能效的同時有助于減小散熱設計負擔。
