IMZA65R015M2HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247H-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:189A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流（ID）為189A，漏源擊穿電壓（VDSS）達(dá)750V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為11mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導(dǎo)通損耗與快速開(kāi)關(guān)特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高頻電力電子設(shè)備。其寬電壓驅(qū)動(dòng)能力與高電流承載能力有助于在緊湊布局中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的功率控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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