AOM015V65X2_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:189A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備189A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為750V，導(dǎo)通電阻低至11mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和高頻開關(guān)特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景。其低導(dǎo)通損耗與高耐壓能力使其在高負(fù)載條件下仍能保持良好性能，適合用于各類高效電源系統(tǒng)及能量轉(zhuǎn)換裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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