SPP24N60CFDHKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備20A的連續漏極電流，漏源擊穿電壓為800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓應用中展現出較低的導通損耗和良好的開關性能。適用于對效率與熱管理有較高要求的電源轉換系統，可在高頻工作條件下維持穩定運行，滿足緊湊型高耐壓電路的設計需求。
