TQM075NH10CR_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET的額定漏極電流（ID）為75A，最大漏源電壓（VDSS）為100V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為6.4毫歐。憑借低導(dǎo)通電阻特性，器件在高電流條件下可有效降低導(dǎo)通損耗，提升能效。適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)及高功率電子設(shè)備等場景，能夠滿足對高電流承載能力和熱穩(wěn)定性的需求，在頻繁開關(guān)或持續(xù)負載運行中保持可靠性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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