MSJP14N65A-BP-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有9A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為306mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備快速開關特性與較低的導通損耗，在高頻率電源轉換、可再生能源系統及高效電能管理等應用中表現出良好的性能。其寬柵壓范圍有助于適配多種驅動電路，同時提升系統在復雜電氣環境下的穩定性與可靠性。
