IPP60R299CPXKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有9A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為306mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高效率應用場景中表現出較低的開關損耗與導通損耗，適用于對能效和熱管理要求較高的電源轉換系統。其電氣參數適配多種拓撲結構，可有效提升整體系統性能與可靠性。
