IAUC100N10S5L040ATMA1_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）支持120A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為100V，導(dǎo)通電阻僅為3.6毫歐。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)能效。適用于高電流、高效率要求的電源管理、電機(jī)驅(qū)動及高頻開關(guān)電路等應(yīng)用場合。其電氣特性適合在需要快速開關(guān)響應(yīng)和良好熱穩(wěn)定性的電子系統(tǒng)中使用，能夠可靠地實(shí)現(xiàn)高效電能控制與轉(zhuǎn)換。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
