IPA65R310CFDXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為320mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，支持可靠的開關控制。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度與熱導率，器件在高頻、高溫環(huán)境下仍能維持穩(wěn)定性能，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統及可再生能源相關設備。
