GC190N65FF_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有11A的連續漏極電流（ID）、800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和165mΩ的導通電阻（RDS(ON)），柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓應用中表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于對效率和體積有要求的電源轉換系統、可再生能源接入設備以及高頻電力電子裝置，能夠在有限空間內實現可靠的功率管理。
