FCH023N65S3L4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET支持108A的連續漏極電流，漏源電壓額定值為750V，導通電阻低至20mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高電壓、大電流條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，并具備良好的高溫工作能力。適用于對效率、體積和熱管理有較高要求的電源轉換、可再生能源接入及高頻電力電子系統。
