NVBG060N065SC1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:36mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的連續漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為36mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有優異的高頻特性和熱穩定性，適用于高效率、高頻率的功率轉換場景。其低導通電阻有助于降低傳導損耗，提升系統整體能效，同時寬柵壓范圍增強了驅動兼容性與可靠性。
