RJK0366DPA-00#J0-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備50A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在柵源電壓為20V時導通電阻為6.5毫歐。其低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，適用于對效率和熱性能有較高要求的電源轉換電路。典型應用場景包括開關電源、電池管理系統中的功率開關以及各類高頻率、高效率的電子負載控制模塊。
