STL16N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:14A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:315mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為14A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為315mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備優異的高頻開關特性和較低的導通損耗，在高效率電源轉換、可再生能源系統及高頻開關電源等應用中表現突出。其電氣參數組合支持在緊湊型設計中實現良好的熱性能與能效平衡。
