IPP60R280CFD7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有9A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為306mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓和高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于對能效和熱管理要求較高的電源轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及高效率AC/DC變換器等場合。
