SIR846ADP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。器件適用于高效率功率轉換場景，其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。在開關電源、電機驅動及各類中高功率電子設備中，該MOSFET可提供穩定可靠的性能表現，滿足對高電流承載能力和低熱損耗的嚴苛要求。
