SMM2348ES-T1-GE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有5.8A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為22毫歐。器件在中等電流水平下提供較低的導通損耗，適合用于對空間和效率有一定要求的電源管理電路。典型應用場景包括便攜式設備的電源開關、電池保護電路以及低功率DC-DC轉換器等，能夠在確保電氣性能的同時維持良好的熱表現。
