NTMFS5C426NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:219A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:1.2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流（ID）為219A，漏源擊穿電壓（VDSS）為40V，在柵源電壓（VGS）為20V時，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐。憑借極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，該器件適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)電路及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場合，有助于降低功耗并提升系統(tǒng)整體性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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