RJK0351DPA-00#J0-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:90A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和90A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至3.5毫歐，柵源驅(qū)動(dòng)電壓（VGS）最高可達(dá)±20V。憑借極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，器件在大電流開關(guān)應(yīng)用中可有效降低功率損耗與溫升。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池充放電控制以及對(duì)熱性能和能效要求嚴(yán)苛的電子系統(tǒng)中的功率開關(guān)環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
