GSJH65R290_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有9A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為306mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關應用中展現出較低的導通損耗和優異的熱穩定性，適用于高效率電源、可再生能源轉換系統以及對體積和能效有較高要求的電力電子設備。
