XP65SL380DH_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，最大漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于高效率電源轉換、開關電源及各類電力電子系統中，可有效降低開關損耗并提升整體能效表現。
