STF21N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為165mΩ，柵源電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景。其低導通損耗與快速開關能力有助于提升系統整體能效，適合用于各類高電壓、中等電流的電源管理與能量轉換應用。
