SI7388DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5.7毫歐。器件采用標準封裝結構，適用于對導通損耗和效率要求較高的電源管理場景。其低導通電阻有助于減少發熱，提升系統整體能效，適合用于各類中低電壓開關電路中，如直流-直流轉換器、負載開關及電池供電設備中的功率控制模塊。
