GSJU6520_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，額定漏極電流ID為20A，最大漏源電壓VDSS達650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為160mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍VGS為-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性，適用于對效率和熱管理要求較高的高頻開關(guān)場景。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動兼容性，適合用于電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高密度電力電子模塊中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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