R6576KNZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至44mΩ，柵極驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有優異的高頻特性和熱穩定性，在高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能電力電子設備中可實現更低的開關損耗與更高的功率密度。其電氣參數適合在嚴苛工作條件下維持穩定運行，適用于對能效和可靠性要求較高的應用場景。
