STW75N65DM6-4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至45mΩ，適用于高效率功率轉換場景。其柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V，具備良好的開關特性與熱穩定性。器件采用碳化硅材料，相較傳統硅基器件在高頻、高溫環境下表現出更低的導通損耗與開關損耗，適合用于對能效和體積有較高要求的電源系統中。
