IMT65R020M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:116A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有116A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為20mΩ，柵源電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，在高頻開關條件下展現出優異的導通特性和較低的開關損耗，同時具備良好的高溫穩定性和熱傳導能力。適用于對效率和功率密度要求較高的電源系統，如數據中心供電、可再生能源轉換裝置及高頻開關電源等應用場合。
