IMZA65R020M2HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的連續(xù)漏極電流，漏源擊穿電壓達(dá)750V，導(dǎo)通電阻為20mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和低導(dǎo)通損耗特性，在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率與熱穩(wěn)定性。適用于高功率密度電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及各類高效電力電子裝置，能夠有效降低系統(tǒng)能耗并提升整體性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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