SICW020N065H4-BP-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流（ID）為108A，漏源擊穿電壓（VDSS）達750V，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為20mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和熱穩(wěn)定性，適用于高功率電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及對體積與能效有嚴(yán)苛要求的電力電子裝置。其低導(dǎo)通電阻有助于降低傳導(dǎo)損耗，寬柵壓范圍則提升了驅(qū)動兼容性與控制靈活性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
