G3F33MT06K-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻僅為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。其低導通電阻與高耐壓特性使其在高頻開關應用中表現出優異的效率和熱性能，適用于高功率密度的電源轉換、可再生能源系統及各類高效電能管理設備。
