IXFH26N65X2-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓和高效率應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，適用于對(duì)功率密度和能效有較高要求的電力電子系統(tǒng)。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)特性有助于簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)并提升整體系統(tǒng)響應(yīng)速度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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