IMW65R027M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。其寬電壓驅(qū)動能力有助于提升開關(guān)可靠性，低導(dǎo)通電阻可有效降低導(dǎo)通損耗。器件適用于高效率、高頻率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、通信電源及可再生能源發(fā)電設(shè)備中的功率變換環(huán)節(jié)，在高溫或高頻工況下仍能維持穩(wěn)定電氣特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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