TQM032NH04CR RLG_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:130A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備130A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為40V，導(dǎo)通電阻僅為2.8毫歐。其極低的RDS(ON)有效降低導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較低溫升。器件適用于對(duì)效率和熱性能要求嚴(yán)苛的電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換以及大電流開(kāi)關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景，能夠支持穩(wěn)定可靠的電路運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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