NTMFS4C03NT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有150A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至1.4毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現高效導通。其低導通電阻有助于減少功率損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的高電流開關場景。器件結構支持快速開關特性，適合用于電源轉換、電機驅動及高密度功率模塊等應用中，能夠在緊湊空間內提供穩定可靠的性能表現。
