CDMSJ2204.7-650 SL_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:5.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:820mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），在25℃條件下可支持5.1A的連續(xù)漏極電流（ID）。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為820mΩ，在柵源電壓（VGS）范圍為-8V至@0V時能穩(wěn)定工作。器件采用碳化硅材料，具備較高的耐壓能力和較低的開關(guān)損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的高頻電源轉(zhuǎn)換場景，如服務(wù)器電源、通信電源及可再生能源系統(tǒng)中的功率變換模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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