RJK0353DPA-01#J0B_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）典型值為4.3毫歐。較低的導通電阻有助于降低導通損耗，提升系統整體效率。其電氣特性適合用于高頻率開關操作，可應用于電源管理、電池供電設備、電機控制及各類高效能電子系統中，在有限空間內實現良好的熱性能與可靠性。
