NVMFS5C645NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:3.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.7毫歐。器件在高電流應用中表現出優異的導通性能與能效，適用于對功率密度和熱管理有較高要求的電源轉換、電機驅動及高頻開關電路等場景。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統整體效率，同時支持緊湊型電路布局。
