TSM032NH04CR RLG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備130A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.8毫歐。如此低的導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，適合用于高效率、大電流的電源管理、同步整流及電機驅動等場合。其電氣參數特性使其在頻繁開關或持續高負載運行條件下仍能維持良好的熱穩定性和可靠性，適用于對體積與性能均有較高要求的電子系統。
