TK290P65Y,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為20A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為160mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和高頻開關能力，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能電力電子設備。其低導通損耗和快速開關特性有助于提升整體系統能效與功率密度。
