IPL65R190E6AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的連續漏極電流和800V的漏源擊穿電壓，導通電阻為165mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫特性和開關性能，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場景。其低導通損耗與高耐壓能力使其在高頻運行條件下仍能保持良好的熱穩定性，適合用于各類高可靠性電力電子系統中。
