STP18N65M2-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:306mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)9A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為306mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電源系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置及高頻DC-DC變換器等場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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