IPD50N03S207ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻使其在大電流工作狀態下能有效抑制功耗與溫升，適用于對效率和熱管理要求較高的功率開關場合。典型應用包括高效率直流-直流轉換器、電池供電系統及高頻率同步整流電路，可在緊湊型設計中實現穩定可靠的性能表現。
