IPP05CN10L G_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有120A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導通電阻低至4.1毫歐。器件采用優化的結構設計，在高電流工作條件下仍能保持較低的功率損耗和良好的熱穩定性。其低RDS(ON)特性有助于提升系統效率，適用于對導通性能和開關速度有較高要求的電源轉換及功率管理場景。由于具備較高的電流承載能力和穩定的電氣特性，該MOSFET可滿足多種高負載應用中的可靠運行需求。
