PSMP050N10NS2_T0_00601_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有120A的連續漏極電流能力與100V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至4.1毫歐。其低RDS(ON)有助于減少導通損耗，在高電流工作條件下維持較高的能效。器件適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉換場景，可有效支持高頻開關操作，同時降低系統整體功耗。結構設計兼顧穩定性和響應速度，適合用于各類高效能電子設備中的功率管理模塊。
