SIR846DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為6.4毫歐，適用于高效率電源管理與大電流開關場合。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。器件在高頻開關操作中表現出良好的動態特性，適合用于對熱性能和空間布局有較高要求的電子設備中。
