FDD6682_NL-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。其高電流承載能力與優異的導通特性，使其適用于大電流電源轉換、高效開關電路以及對熱管理要求較高的緊湊型電子設備中。器件在高頻開關條件下仍能保持穩定的電氣性能，適合用于需要高效率與高可靠性的電力電子應用。
