TSM040N03CP_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3毫歐。其低導通電阻有效降低導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換場合。在高電流負載條件下，器件仍能保持穩定的電氣特性，適合用于直流-直流變換器、電池管理系統以及高功率便攜設備中的開關與功率控制功能。
