TPH1R104PB,L1XHQ_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具備219A的連續漏極電流（ID），最大漏源電壓（VDSS）為40V，導通電阻（RDS(ON)）僅為1.2毫歐，柵源電壓（VGS）額定值為±20V。其超低導通電阻有效降低導通損耗，適合在高電流、高效率要求的功率轉換場合中使用。典型應用包括開關電源、電機驅動、電池充放電控制及大電流負載開關等場景，能夠在緊湊電路布局中維持穩定可靠的電氣性能。
