STF10NM65N-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:7.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和7.1A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為410mΩ。柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于多種驅動電路配置，同時提供良好的柵極可靠性。憑借碳化硅材料的固有優勢，該器件在高頻開關條件下具有較低的開關損耗和優異的熱性能，適合用于高效率電源轉換、可再生能源系統以及對體積和能效有嚴格要求的電力電子應用。
