STF12N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:7.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為7.1A，漏源電壓耐受能力達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為410mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、光伏逆變、不間斷電源及類似對能效和熱性能有較高要求的電力電子系統(tǒng)。其寬柵壓范圍增強(qiáng)了驅(qū)動兼容性，有助于簡化控制電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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